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PN结的正向电流由()电流、()电流和()电流三部分所组成。(选择填空,电子扩散,空穴扩散,势垒区复合,势垒区产生)
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PN结的正向电流由()电流、()电流和()电流三部分所组成。(选择填空,电子扩散,空穴扩散,势垒区复合,势垒区产生)
正确答案:电子扩散|空穴扩散|势垒区复合
Tag:
电流
空穴
电子
时间:2024-05-06 22:41:42
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PN结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是();PN结的反向电流很小,是因为反向电流的电荷来源是()。(选择填空:多子,少子)
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当对PN结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度();当对PN结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度()(选择填空:多,少)。
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当对PN结外加正向电压时,由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散,一边()。每经过一个扩散长度的距离,非平衡电子浓度降到原来的()。
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室温下硅PN结的反向饱和电流密度J0值约为10-10A/cm2的数量级,禁带宽度EG降低,J0值(),正向导通电压VF();温度降低,J0值(),因此,J0具有()温度系数。(选择填空:增大,减小,正,负)
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在PN结的正向电流中,当电压较低时,以()电流为主;当电压较高时,以()电流为主。
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薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于()。在薄基区二极管中,少子浓度的分布近似为()。
5.
反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。
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反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的种类、掺杂浓度和温度。半导体材料的禁带宽度越大,则ni越大,反向饱和电流就越大。
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正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值,这导致了该区域内载流子出现复合占优。
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无向强连通图一定是欧拉图.
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