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在fcc晶体中（111）密排面抽取一层将形成（）。
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在fcc晶体中（111）密排面抽取一层将形成（）。
A.肖克莱不全位错
B.弗兰克不全位错
C.混合位错
D.刃型位错
正确答案：B
Tag：
材料科学基础
克莱
晶体
时间：2021-05-14 14:46:01
上一篇：
fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（）运动。
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小角度晶界是由位错组成的。
相关答案
1.
在体心立方晶体结构中，柏氏矢量为a［100］的位错（）分解为a[111]/2+a[1-1-1]/2。
2.
F-R位错源是材料中唯一的位错来源。
3.
如果有两根位错线，位错线L1，柏氏矢量b1，位错线L2，柏氏矢量b2。当b1垂直L2时，L1对L2交截作用产生的位错线段大小等于b1。
4.
位错与空位之间可以相互形成和转化。
5.
两个平行刃型位错之间切应力作用大小和方向与这两个位错之间的相对位置有关。
6.
平行刃型位错之间既有正应力作用，又有切应力作用。
7.
多个相邻的同号刃型位错，由于应力场相互作用，通常会倾向于垂直排列。
8.
（），位错滑移的派－纳力越小。
9.
不能发生攀移运动的位错是（）。
10.
能易于进行交滑移的位错是（）。
热门答案
1.
两个平行同号螺型位错，其相互作用力（）。
2.
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[11-2],柏氏矢量b=a[-110]/2；此位错可以分解为a[-12-1]/6+a[-211]/6。
3.
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（）。
4.
位错数量很大，所以材料中原子排列是无序的。
5.
在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这种缺陷称为（）。
6.
在一定温度下具有一定平衡浓度的缺陷是（）。
7.
相同条件下，高熔点金属形成的空位数量比低熔点金属形成的空位数量少。
8.
（）可以产生过饱和空位。
9.
材料的熔点越高，空位的形成能和迁移能也越大。
10.
在A-B二元固溶体中，A-B对的能量小于A-A和B-B对的平均能量，该固溶体最容易形成（）。