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EPROM比E2PROM具有更快的擦除改写速度。
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EPROM比E2PROM具有更快的擦除改写速度。
A.正确
B.错误
正确答案:B
Tag:
数字电路与逻辑设计
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时间:2021-07-25 14:12:34
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由于DRAM的存储单元的结构非常简单,所以它所能达到的集成度远高于SRAM。
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“精源说”是由()提出的?
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从制造工艺上考虑,双极型的存储器比MOS型的存储器功耗低,集成度高。
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静态存储器的存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。
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从开关速度方面考虑,DRAM芯片比SRAM芯片速度快。
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计算机的层次存储系统中,主存通常采用()构成。
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2K×16b的存储器芯片,其存储容量有()
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只能按地址读出信息,而不能写入信息的存储器为()
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存储容量为8K×8位的ROM存储器,其地址线为()条。
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随机存取存储器具有()功能。
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移位寄存器的左移是指从低位移到高位。
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计数器除了能对输入脉冲进行计数,还能作为分频器用。
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时序电路不含有记忆功能的器件。
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可以用来实现并/串转换和串/并转换的器件是()
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一个4位移位寄存器原来的状态为0000,如果串行输入始终为1,则经过4个移位脉冲后寄存器的内容为()。
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若4位同步二进制加法计数器当前的状态是0111,下一个输入时钟脉冲后,其内容变为()
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已知Q3Q2Q1Q0是同步十进制计数器的触发器输出,若以Q3作进位,则其周期和正
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同步清除计数器是指()的计数器
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同步计数器是指()的计数器
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构成模值为256的二进制计数器,需要()级触发器。
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8位移位寄存器可以存放()位二进制代码。
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脉冲触发器比边沿触发器的的抗干扰性好。