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作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
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作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
A.正确
B.错误
正确答案：正确
Tag：
模拟电子技术
沟道
电压
时间：2022-01-04 21:07:25
上一篇：
MOSFET放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。
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MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
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1.
小信号模型中所研究的电压、电流都是变化量，因此，不能用小信号模型来求静态工作点Q，模型参数大小也与Q点位置无关。
2.
放大电路的静态是指输入端短路时的状态。
3.
当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。
4.
用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大。当输出端开路时，A和B的输出电压相等；当都接入负载电阻RL时，测得A的输出电压小于B的输出电压，由此说明，电路A的输出电阻比电路B的输出电阻（）。
5.
P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是（）。
6.
N沟道场效应管的漏极电流由（）的漂移运动形成。
7.
场效应管利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小，因此它是（）控制器件。
8.
在使用齐纳二极管时，必须加限流电阻。
9.
通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
10.
二极管简化模型将二极管的I-V非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。
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对于实际的二极管，只要正偏电压大于零，二极管就导通。
2.
半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。
3.
已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为0.5mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数rd=（）。
4.
点亮发光二极管应加（），光电二极管正常工作时应加（），变容二极管正常工作时应加（）。
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齐纳二极管正常稳压时，工作在（）状态。
6.
二极管正偏时应重点关注（），反偏时应重点关注（）。
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PN结正偏是指（）。
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PN结内电场方向是由（）。
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N型半导体中的多数载流子是（），而P型半导体中的多数载流子是（）。
10.
半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中（）的移动。