在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是(A在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是(A在磷掺杂浓度为2e16cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是()


在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是(A在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是(A在磷掺杂浓度为2e16cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是()

A.In(Wm=3.8eV)

B.Cr(Wm=4.6eV)

C.Au(Wm=4.8eV)

D.Al(Wm=4.3eV)

正确答案:In(Wm=3.8eV)


Tag:半导体物理 衬底 浓度 时间:2022-01-16 13:49:32