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近代中国社会为半殖民地半封建社会。那么，半封建社会的另外一面是（）
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近代中国社会为半殖民地半封建社会。那么，半封建社会的另外一面是（）
A.半殖民地社会
B.封建社会
C.专制社会
D.半资本主义社会
正确答案：D
Tag：
毛论
半封建
时间：2022-05-09 14:33:24
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近代中国社会为半殖民地半封建社会。那么，半殖民地社会的另外一面是（）
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综合分析国际国内形势和我国发展条件，从二〇二〇年到本世纪中叶可以分两个阶段来安排。第一个阶段，从（），在全面建成小康社会的基础上，再奋斗十五年，基本实现社会主义现代化。
相关答案
1.
学好《毛泽东思想和中国特色社会主义理论体系概论》这门课程的学习基本要求有（）。
2.
11月28日，在联合国教科文组织保护非物质文化遗产政府间委员会第十三届常会上，中国申报的“藏医药浴法——中国藏族有关生命健康和疾病防治的知识与实践”通过审议，列入人类非物质文化遗产代表作名录，这也是中国第40个入选《非遗公约》名录的遗产项目。“藏医药浴法”申遗成功（）
3.
社会主义核心价值观是当代中国精神的（）体现，凝结着全体人民共同的价值追求。
4.
直流斩波电路，用在直流电动机回路再生制动场合，不可以把电能回馈到电网，因此不具有节能的意义。
5.
斩波电路的应用非常广泛，其中包括地铁电动车辆，城市无轨电车，矿用机车等场合。
6.
直流斩波器电路能将固定的直流电压变换成可调的直流电压。
7.
多相多重斩波电路是在一个电源和一个负载之间接入多个基本的斩波电路。
8.
提供使晶闸管关断的换流电路，有电压换流电路和电流换流电路两种。
9.
目前采用脉冲宽度控制的斩波器更为普遍，主要是由于频率一定，这对直流斩波电路的滤波器设计更为有利。
10.
IGBT是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。由N沟道VDMOSFET与双极型晶体管组合而成的IGBT，比VDMOSFET多一层P+注入区，实现对漂移区电导率进行调制，使得IGBT具有很强的通流能力。简化等效电路表明，IGBT是用GTR与MOSFET组成的达林顿结构，相当于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。
热门答案
1.
通常主要指绝缘栅型中的MOS型，简称电力MOSFET。电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管。是一种单极型的电压控制全控型器件。特点－－用栅极电压来控制漏极电流，输入阻抗高，驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高。热稳定性优于GTR。电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
2.
门极可关断晶闸管也是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负脉冲使其关断，因而属于全控型器件；它和普通晶闸管一样，也是PNPN四层结构，外部引出三个极，阳极，阴极和门极；工作条件同普通晶闸管；其主要用于兆瓦级以上的大功率场合。
3.
与全控型电力电子器件相对应的有半控型器件，即通过控制信号过可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。这类器件主要是晶闸管及其大部分派生器件。
4.
全控型器件又称为自关断器件，是指通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。
5.
由于反向恢复时间比较长，整流二极管多用于开关频率不高的整流电路中。
6.
晶闸管在回路中使用时，串并联同时存在的情况下，要先串联在并联。
7.
晶闸管串联时，要考虑均流措施。晶闸管并联时，要考虑均压措施。
8.
在晶闸管并联的时候，会出现因为动态特性和静态特性参数差异而导致分配不均匀。
9.
晶闸管并联的目的是用多个器件的并联来承担较大的电流。
10.
当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联。