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PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性,又描写了PN结的反向击穿特性。
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PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性,又描写了PN结的反向击穿特性。
A、正确
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Tag:
特性
方程
时间:2023-10-06 15:54:34
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如果给N型半导体中掺入足够多的三价元素,可将其改型为P型半导体。
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PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
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由于N型半导体中存在大量自由电子,故N型半导体会带负电。
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PN结正偏时,势垒电容是主要的。
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当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄;当PN结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。
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放大电路的非线性失真表现为输入某一频率正弦信号时,输出信号中出现一定量的谐波成分。
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MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零,所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大。()
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输出电阻可以定义为输出电压正弦有效值与输出电流正弦有效值之比。()
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NPN型晶体管处于放大状态时,由发射区注入基区的自由电子绝大多数被复合。
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共发射极组态中输出端口的电压为UCE。
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在共发射极输出特性曲线的放大区,uCE对iC的控制作用很强。
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共发射极输出特性曲线饱和区的特点是uCE很小。
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在保持iB不变的条件下,温度每升高1℃,uBE大约下降2mV。
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晶体管的最大允许集电极电流ICM是指β下降到额定值2/3时的IC值。
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求解UCEQ时应利用交流通路。
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直流负载线方程iC=f(uCE)由晶体管的内部特性决定。
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晶体管截止的条件是UBB≤UBE(on) ,且UBB<UCC。
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NPN晶体管处于放大状态的条件是UBBUBE(on),且UCEQUBE(on) 。
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固定偏流电路的优点是电路结构简单、工作点稳定性好。
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分压式直流负反馈偏置电路的优点是工作点稳定性好。
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阻容耦合放大电路的交流负载线和直流负载线没有交点。
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对NPN管的共射放大器,Q点过低时输出电压会出现削顶现象(顶部限幅)。