A.P沟道耗尽型MOS管

B.N沟道耗尽型MOS管

C.P沟道增强型MOS管

D.N沟道增强型MOS管

正确答案：

P沟道增强型MOS管

8、某场效应管的特性曲线如图所示，该管为：

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

正确答案：

N沟道耗尽型MOS管

9、图示场效应管放大电路的组态是:

A.共漏

B.共源

C.共栅

D.差动放大

正确答案：

共源

10、测得某FET管的输出特性如图所示，则判断此管为:

A.N沟道结型FET管

B.P沟道结型FET管

C.N沟道耗尽型MOS管

D.P沟道耗尽型MOS管

正确答案：

N沟道耗尽型MOS管

第五章单元测试

1、测得某放大电路半导体三极管三个管脚对地电压为U1＝3V，U2＝8V，U3＝3.7V，则三个电极为

A.1为发射极，2为基极，3为集电极

B.1为发射极，2为集电极，3为基极

C.1为集电极，2为基极，3为发射极

正确答案：1为发射极，2为集电极，3为基极

2、当输入电压为正弦信号时，若NPN管共发射极放大电路发生饱和失真，则输出电压的波形将

A.正半周削波

B.负半周削波

C.不削波

正确答案：负半周削波

3、为了使放大器具有高输入电阻，低输出电阻，应采用

A.共射电路

B.共集电路

C.共基电路

正确答案：共集电路

4、两个三极管参数分别为：甲管β＝200，ICBO＝0.1uA；乙管β＝260，ICEO＝1uA，选用哪个管子较好？

A.甲管

B.乙管

正确答案：

乙管

5、测得BJT各极对地电压为VB =1.8V，VE =0V，VC=12V，则该管工作在（）状态。

A.截止

B.饱和

C.放大

D.已损坏

正确答案：截止

6、双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结反偏

D.发射结反偏，集电结正偏

正确答案：发射结正偏，集电结反偏

7、温度升高，半导体三极管的共射输出特性曲线下移。

A.对

B.错

正确答案：错

8、利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管

A.对

B.错

正确答案：对

9、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

A.对

B.错

正确答案：对

10、静态工作点是过高可能会导致饱和失真

A.对

B.错

正确答案：对

第六章单元测试

1、放大电路的增益和通过信号的频率无关

A.对

B.错

正确答案：错

2、放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的，当输入信号的频率为上限频率或下限频率时，放大器增益的幅值将：