MOS阈值电压就是将栅极下面的Si表面变为强反型层（从P型Si变成N型Si或者n型变成p型）所必要的电压，即需要在满足氧化硅层上的电压降基础上补偿p-n型两者费米能级之差，除此之外，影响阈值电压的因素有（）。
MOS阈值电压就是将栅极下面的Si表面变为强反型层（从P型Si变成N型Si或者n型变成p型）所必要的电压，即需要在满足氧化硅层上的电压降基础上补偿p-n型两者费米能级之差，除此之外，影响阈值电压的因素有（）。
A、SiO2层中可以移动的正离子的影响
B、栅极材料跟半导体材料的功函数之差
C、氧化层中固定电荷的影响
D、界面势阱的影响
正确答案：SiO2层中可以移动的正离子的影响|栅极材料跟半导体材料的功函数之差|氧化层中固定电荷的影响|界面势阱的影响