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MOS集成电路制造工艺根据栅电极的不同可分为：（）、（）。
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MOS集成电路制造工艺根据栅电极的不同可分为：（）、（）。
正确答案：金属栅工艺|硅栅工艺
Tag：
工艺
电极
集成电路
时间：2024-05-21 10:16:32
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MOSFET是一个端器件。
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根据MOSFET导电沟道的不同，MOS集成电路可以分为、（）、（）。
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由PMOS和NMOS所组成的互补型电路称为电路。
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在CMOS集成电路中P沟道MOS管作为，N沟道MOS管作为（）。
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CMOS集成电路的主要工艺分为、（）、（）。
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通常在源区和漏区增加源漏拓展区的轻掺杂区域是为降低、减小。
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栅氧化层通常采用湿氧氧化的方式进行生长。（）
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在硅片中刻蚀出浅槽并在浅槽中淀积氧化物材料起到器件隔离的技术称为STI技术。（）
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局部氧化工艺的缺点是会形成鸟嘴，造成场氧区对有源区的侵蚀，从而使有源区之间的距离增加。（）
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