为了减小栅极和源极区的串联电阻，通常在器件各区域完成后增加一道硅化工艺以降低接触电阻，以下不是硅化材料的是（）。
为了减小栅极和源极区的串联电阻，通常在器件各区域完成后增加一道硅化工艺以降低接触电阻，以下不是硅化材料的是（）。
A、GaAs
B、TiSi2
C、CoSi2
D、WSi2
正确答案：GaAs
为了减小栅极和源极区的串联电阻，通常在器件各区域完成后增加一道硅化工艺以降低接触电阻，以下不是硅化材料的是（）。
A、GaAs
B、TiSi2
C、CoSi2
D、WSi2
正确答案：GaAs
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