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设MOS管的VTP＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝-3V，VGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
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设MOS管的VTP＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝-3V，VGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
A.正确
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Tag：
模拟电子技术
电压
测量
时间：2022-01-04 21:07:28
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设MOS管的VPN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
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可充当电压跟随器的是哪一种放大电路。（）
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设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
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场效应管仅靠一种载流子导电。
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增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。
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MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
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作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
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MOSFET放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。
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小信号模型中所研究的电压、电流都是变化量，因此，不能用小信号模型来求静态工作点Q，模型参数大小也与Q点位置无关。
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放大电路的静态是指输入端短路时的状态。
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当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。
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用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大。当输出端开路时，A和B的输出电压相等；当都接入负载电阻RL时，测得A的输出电压小于B的输出电压，由此说明，电路A的输出电阻比电路B的输出电阻（）。
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P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是（）。
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N沟道场效应管的漏极电流由（）的漂移运动形成。
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场效应管利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小，因此它是（）控制器件。
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在使用齐纳二极管时，必须加限流电阻。
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通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
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二极管简化模型将二极管的I-V非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。
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对于实际的二极管，只要正偏电压大于零，二极管就导通。
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半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。
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已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为0.5mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数rd=（）。
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点亮发光二极管应加（），光电二极管正常工作时应加（），变容二极管正常工作时应加（）。