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成长阶段理论的研究成果显示,企业在不同成长阶段需要不同的推动力量。
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成长阶段理论的研究成果显示,企业在不同成长阶段需要不同的推动力量。
A、正确
B、错误
正确答案:正确
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阶段
研究成果
力量
时间:2023-10-06 15:55:48
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置换可以简单的理解为在一个谓词公式中用项去替换变量,项一般用小写字母
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爱迪斯认为,当企业花费精力从旧的行为模式转变到新的行为模式时,企业的各种问题都是正常的,不正常问题也可以通过外部干预来解决。
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在主观Bayes方法中,当LS 1时,O(H|E)O(H)说明E支持H,LS越大E对H的支持越充分。
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TCP提供的是面向连接的服务,可以实现一对一或者一对多的服务。
3.
PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
4.
PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性,又描写了PN结的反向击穿特性。
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如果给N型半导体中掺入足够多的三价元素,可将其改型为P型半导体。
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由于N型半导体中存在大量自由电子,故N型半导体会带负电。
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PN结正偏时,势垒电容是主要的。
8.
当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄;当PN结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。
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放大电路的非线性失真表现为输入某一频率正弦信号时,输出信号中出现一定量的谐波成分。
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MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零,所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大。()
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输出电阻可以定义为输出电压正弦有效值与输出电流正弦有效值之比。()
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NPN型晶体管处于放大状态时,由发射区注入基区的自由电子绝大多数被复合。
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共发射极组态中输出端口的电压为UCE。
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在共发射极输出特性曲线的放大区,uCE对iC的控制作用很强。
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共发射极输出特性曲线饱和区的特点是uCE很小。
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在保持iB不变的条件下,温度每升高1℃,uBE大约下降2mV。
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晶体管的最大允许集电极电流ICM是指β下降到额定值2/3时的IC值。
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求解UCEQ时应利用交流通路。
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直流负载线方程iC=f(uCE)由晶体管的内部特性决定。
10.
晶体管截止的条件是UBB≤UBE(on) ,且UBB<UCC。