智慧树知到《芯片基础模拟集成电路设计》章节测试答案

第一章单元测试

1、相对于数字电路来说，模拟集成电路的设计更加基础，更加灵活。

A.对

B.错

正确答案：对

2、MOSFET的特征尺寸越来越小，本征速度越来越快（已可与双极器件相比较），现在几GHz～几十GHz的CMOS模拟集成电路已经可批量生产。

A.对

B.错

正确答案：对

3、CMOS电路已成为当今SOC设计的主流制造技术。

A.对

B.错

正确答案：对

4、模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷

A.对

B.错

正确答案：对

5、模拟电路许多效应的建模和仿真仍然存在问题，模拟设计需要设计者利用经验和直觉来分析仿真结果

A.对

B.错

正确答案：对

6、跟数字集成电路设计一样，目前高性能模拟集成电路的设计已经能自动完成。

A.对

B.错

正确答案：错

第二章单元测试

1、MOS器件的源端和漏端不可以共用，不可以互换。

A.对

B.错

正确答案：错

2、下列关于MOS版图说法不正确的是（）

A.栅接触孔为什么开在沟道区外

B.版图中沟道长度L的最小值由工艺决定

C.源结和漏结的一个尺寸等于W，另外一个尺寸要满足接触孔的需要，并且要满足设计规则

D.版图中栅极的接触孔可以开在沟道区

正确答案：版图中栅极的接触孔可以开在沟道区

3、下列说法正确的是（）

A.MOSFET是四端器件

B.MOS管正常工作的基本条件是:所有衬源（B、S）、衬漏（B、D）PN结必须反偏（或者零偏）！

C.阱中MOSFET衬底常接源极S

D.N阱接最低电位

正确答案：N阱接最低电位

4、下列关于阈值电压的说法，不正确的是（）

A.NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压VGS

B.在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压

C.当VGS>VTH时，NMOS器件导通

D.若VTH=0，则NMOS器件关断

正确答案：若VTH=0，则NMOS器件关断

5、下列说法正确的是（）

A.VGS<VTH时，NMOS器件工作在截止区

B.VGS≥VTH，VDS≤VGS-VTH时，NMOS器件工作在线性区

C.VGS≥VTH，VDS≥VGS-VTH时，NMOS器件工作在饱和区

D.VGS<=0时，NMOS器件不工作

正确答案：VGS<VTH时，NMOS器件工作在截止区;VGS≥VTH，VDS≤VGS-VTH时，NMOS器件工作在线性区;VGS≥VTH，VDS≥VGS-VTH时，NMOS器件工作在饱和区

6、下列对器件尺寸参数描述正确的有（）

A.L是器件的沟道长度，W是器件的宽度

B.tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定

C.一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L

D.一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox

正确答案：L是器件的沟道长度，W是器件的宽度;tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定;一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L

7、如果一个电路的最高电压是VDD，最低电压是VSS，那么NMOS器件的衬底应该接VDD。