A.对

B.错

正确答案：错

8、一般MOS器件的源漏是对称的，这告诉我们要根据实际集成电路的情况来判断电路的源极和漏极。

A.对

B.错

正确答案：对

9、下列关于体效应的说法，正确的是（）

A.改变衬底电势Vsub可能会产生体效应。

B.不改变衬底电势Vsub也可能会产生体效应。

C.源电压相对于Vsub发生改变，使得源衬电势差VSB不为0，就会产生体效应。

D.体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。

正确答案：改变衬底电势Vsub可能会产生体效应。;不改变衬底电势Vsub也可能会产生体效应。;源电压相对于Vsub发生改变，使得源衬电势差VSB不为0，就会产生体效应。;体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。

10、下列关于沟道长度调制效应说法正确的是（）

A.器件的导电沟道越长，沟道调制效应系数越小。

B.器件的沟道调制效应系数由工艺决定。

C.器件的导电沟道越短，沟道调制效应系数越小。

D.沟道调制效应说明饱和区器件的电流会受到漏源电压的影响。

正确答案：器件的导电沟道越长，沟道调制效应系数越小。;器件的沟道调制效应系数由工艺决定。;沟道调制效应说明饱和区器件的电流会受到漏源电压的影响。

11、下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（）

A.亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数

B.MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA,常用于低功耗放大器、带隙基准设计

C.MOS管VGS由0增大到大于阈值电压VTH，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当VGS<VTH时，仍有IDS存在

D.当VGS<VTH时，漏极电流ID以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失

正确答案：亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数;MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA,常用于低功耗放大器、带隙基准设计;MOS管VGS由0增大到大于阈值电压VTH，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当VGS<VTH时，仍有IDS存在;当VGS<VTH时，漏极电流ID以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失

12、下列关于MOS模型的说法正确的有（）

A.MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立

B.当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算

C.MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数

D.MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导，体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响

正确答案：MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立;当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算;MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数;MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导，体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响