下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（）

A.亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数

B.MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA,常用于低功耗放大器、带隙基准设计

C.MOS管VGS由0增大到大于阈值电压VTH，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当VGS<VTH时，仍有IDS存在

D.当VGS<VTH时，漏极电流ID以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失

正确答案：亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数；MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA,常用于低功耗放大器、带隙基准设计；MOS管VGS由0增大到大于阈值电压VTH，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当VGS<VTH时，仍有IDS存在；当VGS<VTH时，漏极电流ID以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失