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可以用万用表的“W”挡测量出BJT的H参数rbe电阻。
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可以用万用表的“W”挡测量出BJT的H参数rbe电阻。
A.正确
B.错误
正确答案：错误
Tag：
模拟电子技术
万用表
电阻
时间：2022-01-04 21:07:37
上一篇：
BJT的小信号模型只能用于分析放大电路的动态情况，不能用来分析静态工作点。
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BJT组成复合管时最重要的特性是极大地提高了电流放大倍数。
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直接耦合放大电路可以放大频率很低的信号甚至直流信号。
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在阻容耦合放大电路中，信号源和负载电阻会影响电路的Q点。
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BJT放大电路在不失真地放大动态信号时，其三个电极的实际电流方向始终不变。
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同一只BJT，无论在什么情况下，它的b值始终不变。
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NPN型BJT只能在正电源电压下工作，而PNP型BJT只能在负电源电压下工作。
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测量若干硅NPN型BJT各电极对地的电压值如下，工作在放大区的BJT是（）。
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用直流电压表测得放大电路中某BJT各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
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当温度升高时，BJT集电极电流（）。
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BJT具有放大作用的外部电压条件是发射结（），集电结（）。
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可充当电压跟随器的是哪一种放大电路。（）
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设MOS管的VTP＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝-3V，VGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
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设MOS管的VPN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
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设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
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场效应管仅靠一种载流子导电。
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增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。
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MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
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作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。