智慧树知到《半导体技术导论》章节测试答案

第一章单元测试

1、现代电子器件大多是基于半导体材料制备的？

A.正确

B.错误

正确答案：正确

第二章单元测试

1、p型硅掺杂IV族元素，n型硅掺杂III族元素。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

2、半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

3、以能带隙种类区分，硅属于直接能带隙半导体。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

4、以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型？

A.单晶体

B.多晶体

C.非晶体

D.结晶体

正确答案：结晶体

5、从能级角度上看，导体就是禁带宽度很小的半导体。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

6、半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

7、在半导体中的空穴流动就是电子流动。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

8、通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

9、温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为（）？

A.0

B.1/4

C.1/2

D.1

正确答案：1/2

10、通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

第三章单元测试

1、通常情况下，pn结p区和n区的半导体材料不相同。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

2、pn结加反偏压时，总电流为0。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

3、平衡状态下pn结的能带图中，p区和n区的费米能级是分开的。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

4、金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

5、欧姆接触也称为整流接触。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

6、通常，超晶格结构是基于异质结设计的。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

7、n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

8、MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

9、MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

10、BJT可用于恒定电流源的设计。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

第四章单元测试

1、太阳能电池可以吸收太阳光的所有能量。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

2、VOC是指短路电压。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

3、太阳能电池上表面的电极会遮挡电池吸收的阳光。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

4、以下几种太阳能电池中，效率最高的是（）？

A.硅基太阳能电池