B.GaAs太阳能电池

C.钙钛矿太阳能电池

D.有机物太阳能电池

正确答案：GaAs太阳能电池

5、半导体光探测器本质是一个pn结，这类器件工作在pn结电流电压特性曲线的第（）象限？

A.I

B.II

C.III

D.IV

正确答案：III

6、对于同种半导体材料，通常PIN型光探测器的灵敏度要高于APD光探测器。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

7、光探测器设计的标准是：半导体材料的禁带宽度只要高于被探测光能量即可。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

8、以下哪种LED量产最晚？

A.红光LED

B.绿光LED

C.蓝光LED

D.白光LED

正确答案：蓝光LED

9、LED的寿命通常比白炽灯长。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

10、半导体激光器中没有谐振腔结构。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

第五章单元测试

1、摩尔定律是指集成电路的集成度每12个月提升一倍。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

2、早期的半导体公司大多成立于美国的硅谷。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

3、目前半导体产业分工越来越细，主要是由于技术越来越复杂，产品需求量越来越大。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

4、半导体代工厂中主要进行集成电路设计。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

5、半导体产业涉及的知识领域主要是物理学和材料学，与化学无关。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

6、目前量产的半导体器件节点尺寸是（）？

A.18nm

B.10nm

C.7nm

D.5nm

正确答案：7nm

7、以下半导体产线上最昂贵的设备是（）？

A.曝光显影机

B.CVD镀膜机

C.晶片清洗机

D.封装机

正确答案：曝光显影机

8、在CMOS工艺中，通常采用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

9、逻辑电路的基本元件是MOS管。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

10、集成电路中只能制造二极管和三极管，而无法制造电阻。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

第六章单元测试

1、利用氢氟酸蚀刻SiO2薄膜具有各向异性。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

2、利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

3、通过扩散方式掺杂对杂质浓度和掺杂深度的控制精度比通过离子注入的方式掺杂要高。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

4、以下哪种材料无法通过分子束外延生长法制备？

A.Si

B.GaAs

C.IGZO

D.GaN

正确答案：IGZO

5、以下哪种不属于化学气相沉积法

A.PECVD

B.DPCVD

C.MOCVD

D.LPCVD

正确答案：DPCVD

6、化学气相沉积法的反应原料是气体，反应物是固体，副产物也可以是固体。