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通常掩膜氧化采用的工艺方法为：
A.掺氯氧化
B.干氧
C.干氧-湿氧-干氧
D.低压氧化
正确答案：干氧-湿氧-干氧
Tag：
微电子工艺
低压
工艺
时间：2022-03-02 17:02:59
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VPE制备n-/n+-Si用硅烷为源，硅烷是在（）完成的分解。可从下面选择：气相硅片表面n-/n+Si界面
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关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
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外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长（）薄膜。
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如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。
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