关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
A.生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律
B.温度升高氧化速率迅速增加
C.（111）硅比（100）硅氧化得快
D.有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
E.生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F.生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律
正确答案：温度升高氧化速率迅速增加；（111）硅比（100）硅氧化得快；生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
A.生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律
B.温度升高氧化速率迅速增加
C.（111）硅比（100）硅氧化得快
D.有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
E.生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F.生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律
正确答案：温度升高氧化速率迅速增加；（111）硅比（100）硅氧化得快；生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
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