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热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质（）引起的。（两个字）
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热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质（）引起的。（两个字）
正确答案：分凝
Tag：
微电子工艺
杂质
突变
时间：2022-03-02 17:03:01
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热氧化速率快慢排序：氧化最快、氧化次之、氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）
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扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸，这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
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制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
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关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
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外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长（）薄膜。
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如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。
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VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
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拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的（）造成。
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磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：
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在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60o可知硅片是什么晶向？
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《桔梗谣》属于维吾尔族舞蹈。
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维吾尔族舞蹈下肢律动灵活多变，其丰富多彩的舞蹈步伐都有（）。
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“纳孜尔库姆”是哪个地区的“赛乃姆”。
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以下哪个作品属于维吾尔族舞蹈。
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和（）是维吾尔族舞蹈手的典型姿态律动。