首页
铝的蒸发温度是1250℃，这时它的平衡蒸汽压是（）Pa。（精确到小数点后两位）
精华吧
→
答案
→
慕课
→
未分类
铝的蒸发温度是1250℃，这时它的平衡蒸汽压是（）Pa。（精确到小数点后两位）
正确答案：1.33
Tag：
微电子工艺
小数点
温度
时间：2022-03-02 17:03:11
上一篇：
薄膜应力与测量时的温度有关。
下一篇：
光刻工艺是按照下列哪种流程顺序进行操作？
相关答案
1.
溅射与蒸镀比较，下列那种说法正确：
2.
从两电极面积判断射频溅射时，靶放在那个电极上、衬底放在那个电极上？
3.
为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：
4.
CVD工艺反应剂气体分子到达衬底表面特殊位置的机制有：扩散；；表面迁移。（三个字）
5.
等离子体是物质的一种热平衡存在形态。
6.
关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？
7.
poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的？
8.
LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：kshg，此时淀积速率的特点为：
9.
锑在硅中的最大固溶度只有5*10的19次方原子/cm3，但某芯片埋层掺杂要求掺入锑最大浓度应达5*10的20次方原子/cm3，因此，采用（）掺杂。
10.
在Si中注入B+，能量为30KeV，剂量是10的12次方离子/cm2，查表可知Rp≈0.11μm，ΔRp=0.032μm，峰值浓度是1.25*10的16次方原子/cm3
热门答案
1.
在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少？(湿氧速率很快,短时间的氧化可忽略磷向硅内部的推进)
2.
在p-Si中扩磷20分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到0.8μm，在原条件下还要扩散多长时间？
3.
离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。
4.
关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确：
5.
形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？
6.
在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。
7.
在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩分钟。（只保留整数）
8.
一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。
9.
扩散系数在何时不可以看成是常数：
10.
扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸，这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。