在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。_精华吧

在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。

精华吧→答案→慕课→未分类

在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。

A.沟道效应，<

B.沟道效应，>

C.横向效应，<

D.横向效应，>

正确答案：沟道效应，>

Tag：微电子工艺沟道效应时间：2022-03-02 17:03:04

相关答案

热门答案