关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确:


关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确:

A.注入离子越轻,临界剂量越小;

B.靶温升高,临界剂量上升;

C.注入离子能量越高,临界剂量越低;

D.注入离子剂量率增大,临界剂量降低。

正确答案:靶温升高,临界剂量上升;;注入离子能量越高,临界剂量越低;;注入离子剂量率增大,临界剂量降低。


Tag:微电子工艺 剂量 临界 时间:2022-03-02 17:03:04