LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：kshg，此时淀积速率的特点为：
LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：kshg，此时淀积速率的特点为：
A.温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响；
B.淀积速率受气相质量输运控制；
C.淀积速率受表面化学反应控制；
D.反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
正确答案：淀积速率受气相质量输运控制；
LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：kshg，此时淀积速率的特点为：
A.温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响；
B.淀积速率受气相质量输运控制；
C.淀积速率受表面化学反应控制；
D.反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
正确答案：淀积速率受气相质量输运控制；
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